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半导体行业案例

CASE STUDY · 半导体与微电子玻璃

半导体行业加工案例

针对半导体、MEMS 与微电子项目中的载片、盖板、晶圆和微孔玻璃，统一规划材料、精密加工与洁净交付。

半导体行业加工现场

半导体行业检验与交付

项目概览

从材料确认到成品交付的完整路线

半导体相关玻璃零件常关注热膨胀、厚度均匀、微孔或孔阵列、双面状态和洁净度。材料选型需要与光刻、键合、镀膜、封装或检测等后续工艺匹配。

典型部件: 玻璃晶圆、载片、盖板、微孔阵列、封装窗口
主要工序: 精密切割、打孔、研磨抛光、清洗、检验
控制重点: CTE、TTV、孔位、表面、颗粒与追溯
应用方向: MEMS、传感器、微电子与半导体设备

讨论类似项目

ENGINEERING GUIDE

先确认制程，再确认玻璃

相同尺寸的玻璃晶圆，在载片、阳极键合盖板、光刻基板、微孔中介层和设备窗口中的要求并不相同。材料名称、制程温度、几何规格、表面和包装必须一起确认。

应用场景

可以用在什么地方

MEMS 和传感器的玻璃盖板、阳极键合晶圆
半导体工艺载片、临时承载片和薄片支撑
晶圆级封装窗口、间隔片和透明封盖
微孔/孔阵列玻璃及客户后续金属化的通孔基板
半导体设备中的观察窗、绝缘片和光学部件

选材逻辑

为什么需要玻璃

玻璃兼具透明、电绝缘、化学稳定和可调热膨胀。低碱玻璃可降低碱金属迁移风险；硼硅玻璃可用于玻璃—硅热匹配和阳极键合；熔融石英适合低 CTE、高温、高纯和特定光谱环境。

材料选择

常用材料与适用方向

材料	适用方向	选择重点
PYREX® Micro-Electro	MEMS、阳极键合和晶圆级封装	CTE 3.43 × 10⁻⁶/°C（0–300°C）
BOROFLOAT® 33	通用晶圆、传感、微流控和设备窗口	CTE 3.25 × 10⁻⁶ K⁻¹，耐热耐化学
EAGLE XG® / 无碱玻璃	TFT、薄膜、微电子和低离子基板	关注碱含量、应变点和原始表面
熔融石英	高温、高纯、低 CTE、紫外/激光和设备部件	确认羟基、杂质与光谱等级

典型参数

常用询价参数

项目	常用起点或写法	工程说明
晶圆直径	常见 100、150、200、300 mm	与设备、Cassette、卡盘和版图兼容
厚度	常见 0.20–1.10 mm；载片也可能更厚	影响刚度、热质量和设备焦平面
TTV	常规从 ≤10–25 μm 讨论；高精度键合可评估 ≤1–5 μm	决定贴合间隙、焦平面和局部应力
Bow/Warp	按设备和制程单独定义	注明测量方法和边缘排除区
表面粗糙度	键合/薄膜面通常需要 nm 级控制	数值必须带测量带宽
微孔	入口/出口孔径、锥度、孔距、位置度和孔边距	孔壁与热影响会影响后续金属化和密封
洁净	颗粒、离子、金属和有机残留	只承诺实际具备检测与控制能力的等级

结构与功能

一般需要做成什么样子

可做成标准晶圆、方形或矩形载片、带 Flat/Notch 的圆片、玻璃盖板晶圆、微孔阵列、带窗口/腔体的封装片、薄型 Spacer 和设备观察窗。

为光刻、薄膜、键合和封装提供稳定载体
作为透明盖板、电绝缘层和介电结构
承载微孔阵列和客户后续互连结构
提供设备兼容的尺寸、边缘和定位基准

性能要求

建议重点确认的性能

材料热膨胀、应变点、碱含量和介电匹配
低 TTV、受控 Bow/Warp 和稳定厚度
功能面低粗糙度、低颗粒和低残留
微孔位置、锥度、孔壁和热影响受控
材料批次、加工批次、检验和包装追溯

询价准备

请在图纸或询价中提供

制程用途、最高温度和气氛、硅/薄膜/胶材、尺寸厚度、TTV、Bow/Warp、表面与粗糙度、微孔图、Edge Exclusion、颗粒/离子/金属限制、检验方法、数量、批次和包装。只提供玻璃微孔时，不宣传为包含金属化和可靠性验证的完整 TGV 方案。

以上参数用于前期材料与工艺选型，不构成对所有尺寸、厚度和材料的统一保证。最终规格、测量方法与交付标准以双方确认的图纸、样件和订单文件为准。

01

后续制程确认

先了解键合、光刻、镀膜、封装或设备装配条件，明确材料和洁净边界。

半导体行业加工与材料准备

半导体行业加工检验

02

材料与几何规划

根据热膨胀、厚度、尺寸、孔结构和表面要求选择材料与加工路线。

03

精密加工与过程保护

完成切割、孔阵列、边缘或双面加工，并控制周转过程中的颗粒与划伤。

04

检测与洁净交付

检查尺寸、孔位、边缘和表面状态，完成清洗、隔离包装及批次交付。

让材料选择与加工要求从同一份图纸开始

发送图纸和关键验收项，我们将结合材料与加工路线进行项目评估。

发送图纸到邮箱联系工程团队